机译:在高度c轴取向的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜中具有超低应变滞后的大压电应变,并且在非晶玻璃基板上呈柱状生长
机译:高(001)取向Pb(Zr0.52Ti0.48)O-3薄膜在非晶TiN缓冲Si(100)上的生长和电性能
机译:使用化学溶液沉积和快速热处理过程,高度C轴取向LaniO3薄膜的生长具有改善的Si底物表面形态
机译:{110}取向Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜的溶胶-凝胶沉积及压电性能
机译:SRRUO3 / PT / IR / YSZ / SI上高C轴定向PMNN-PZT薄膜的溅射表位,用于压电MEMS传感器
机译:铁料应变工程的新模式:PBZR1的域结构与性质Xtixo3薄膜
机译:在高度c轴取向的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜中具有超低应变滞后的大压电应变并且在非晶玻璃基板上呈柱状生长
机译:巨型菌株具有超低滞后和高温稳定性的晶粒定向无铅K0.5250.5TiO3-Batio3-Na0.5bi0.5tio3压电材料